Silisiummateriale slår på-terskel: 0,6V-1,2V (positivt korrelert med dopingkonsentrasjon)
Fordeler med silisiumkarbidenheter: Slå på-spenning rundt 3V, men med 200 % forbedret høy-temperaturstabilitet
Dynamisk slå-på tap: Hurtig gjenopprettingstype reduserer byttetap med 40 % sammenlignet med konvensjonell type
